美光DRAM和NAND，最新路线图
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原创 Anton Shilov 2026-11-05 09:13 安徽 半导体行业观察：上个月，美光科技公布了未来几年的DRAM和NAND闪存发展路线图，透露了其计划采用晶圆键合技术、新型材料以缩小NAND闪存单元尺寸、高数值孔径EUV光刻技术，并详细介绍了其向3D DRAM迈进的步伐。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 上个月，美光科技公布了未来几年的DRAM和NAND闪存发展路线图，透露了其计划采用晶圆键合技术、新型材料以缩小NAND闪存单元尺寸、高数值孔径EUV光刻技术，并详细介绍了其向3D DRAM迈进的步伐。 或许美光此次计划中最引人注目的部分在于，随着人工智能开发者对针对其独特处理器架构和特定工作负载优化的内存和存储解决方案的需求日益增长，该公司计划扩展其定制DRAM和NAND产品组合。 “DRAM 目前已接近原子级极限：尽管我们对未来几个平面节点充满信心，但我们非常注重确保在成本和性能方面达到最佳时机推出 3D DRAM，”美光科技总裁兼首席技术和产品官 Scott DeBoer 在本月初的公司活动上表示。“对于 3D NAND，我们真正关注的是利用新材料提高单元结构的密度，并继续致力于未来的 XYZ 扩展。” DRAM：4F2单元被淘汰 出人意料的是，美光决定放弃生产采用 4F² 存储单元的 DRAM ，这与 CXMT、三星和 SK 海力士等竞争对手的做法截然不同。美光表示，目前技术发展已无法找到可行的扩展路径。取而代之的是，美光未来几年的发展路线图包括晶圆键合、高数值孔径 EUV 光刻、新材料以及最终的3D DRAM。该公司计划于 2027 年下半年开始量产其下一代 1δ 存储器，而后续的 1ε、ζÅ 和 ηÅ 技术也处于不同的研发阶段。与此同时，美光正在开发两代 3D DRAM，它们最终有望取代传统的平面存储器。 美光目前已投入量产的1γ（1-gamma）DRAM工艺技术是该公司首个采用EUV光刻技术的DRAM节点。此前，美光一直采用DUV光刻技术的多重曝光工艺，并与依赖EUV光刻技术制造关键层的三星和SK海力士保持竞争力。 美光科技的下一代 1δ（1-delta）制造工艺目前正处于良率提升阶段，计划于 2027 年下半年投入量产。该公司预计，与 1γ 工艺相比，该技术将使位密度提高 20% 左右，同时，先进的高介电常数金属栅极 (HKMG) CMOS、新材料、埃级工艺控制和设备智能化将提高性能、能效，并最终提高良率和降低成本。 美光计划在美国生产1δ DRAM，并将该技术应用于下一代DDR、LPDDR、图形内存、HBM5、垂直HBM (vHBM) 和垂直边缘推理内存 (vEIM) 产品。同时，为了生产HBM5、vHBM5和vEIM产品，该工艺节点还将支持硅通孔 (TSV) 等附加功能，以提升散热性能。 后续的 1ε（1-epsilon）工艺将采用晶圆键合技术，使美光能够在不同的晶圆上制造不同的结构，然后将它们键合在一起。这种方法可以提高存储器设计和制造的灵活性，但美光尚未公布其晶圆键合的具体实施计划，包括将键合哪些结构，以及该技术在密度、性能和功耗方面将带来哪些改进。该工艺目前仍在开发中，尚未公布量产计划。 美光的ζÅ（zeta-angstrom）生产节点目前仍处于早期研发阶段，它将把高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术引入存储器制造领域，从而进一步缩小关键尺寸。该公司尚未透露需要高数值孔径光刻技术的层数、预期密度提升幅度以及该技术何时投入量产。然而，显而易见的是，该节点至少要到2030年才能问世，比三星和SK海力士在其DRAM晶圆厂采用高数值孔径EUV技术（计划于2028年）晚了数年。 ηÅ（埃）工艺是美光公司已公开的平面DRAM路线图中最遥远的一代，目前仍处于探索阶段。在美光将高数值孔径EUV光刻技术引入DRAM生产流程后，该公司计划尝试其他微缩技术。尽管美光提到了新材料，但并未具体说明这些材料，也没有解释它们将如何影响器件结构。这些新材料可能包括新型光刻胶、沉积前驱体、介电材料或导电材料，它们将使美光能够制造更小的晶体管和电容器，并最终提高DRAM单元密度。 3D1 和 3D2： 向 3D DRAM 的过渡即将到来 在传统DRAM研发的同时，美光科技也在开发两代3D DRAM，目前分别称为3D1和3D2。与主要依靠更小的存储单元来提高位密度的平面DRAM不同，3D DRAM利用垂直维度在给定面积内容纳更多存储单元。美光计划在3D DRAM的制造成本和性能方面达到与传统DRAM相当的水平时推出这项技术。该公司尚未公布其架构、层数或目标密度。 总之，美光的路线图重点是继续开发基于 6F² 单元的 DRAM，这与 CXMT、三星和 SK 海力士的计划不同。 事实上，虽然美光已经概述了其