DRAM价格再创新高
21世纪经济报道 · 财经与投资
原创 21记者 2026-11-07 08:33 广东 记者丨 骆轶琪 编辑丨包芳鸣 存储芯片市场的涨价行情仍在延续，但不同产品之间的供需关系正在出现新的变化。 最新市场数据显示， 10月通用型DRAM价格继续上涨，部分产品价格已创下近十年新高 ；与此同时，NAND闪存市场则呈现出另一番景象：部分成熟制程产品价格继续攀升，部分消费级闪存产品的涨价动力却有所减弱，渠道市场甚至出现价格松动。 这一变化发生在全球存储巨头业绩屡创新高，并相继宣布扩大产能投资的背景下。随着人工智能基础设施建设持续吸收存储产能，数据中心与消费电子之间的资源竞争愈发明显。但存储价格不断上涨，也开始反过来抑制下游需求。 但这可能并不是供需关系出现逆转的迹象，而是意味着存储芯片市场随着终端需求侧的变化，进一步走向分化。 DRAM价格再创新高 这一轮存储芯片涨价，DRAM市场的供需紧张最为突出，因此也是迄今为止行情最为强势的品类。 根据集邦咨询旗下DRAMeXchange统计，10月通用型DRAM产品DDR4 8Gb（1Gx8）的平均合约价格达到27.5美元，较9月的26美元上涨5.77%。对比2016年6月开始追踪统计时的2.9美元，累计涨幅已经达到约9.5倍。 该机构还预计，2026年第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨13%至18%。这意味着， 即便PC终端需求并不强劲，DRAM价格仍然可能继续上涨。 价格持续走高的背后，是存储厂商的产能配置正在发生结构性变化。 近年来，人工智能训练和推理带动HBM、高容量服务器DRAM等产品需求快速增长。与传统PC、手机存储相比， 数据中心市场对高性能存储产品的需求更为旺盛，也为存储原厂提供了更高的盈利空间。 因此，三星、SK海力士、美光等厂商持续将投资和产能资源向高附加值产品倾斜。传统消费级DRAM即使需求没有明显增长，也可能因为供给受到压缩而出现价格上涨。 这种变化也反映在存储巨头的经营表现上。三星、SK海力士等存储芯片巨头近期公布的季度业绩均显示，人工智能相关存储需求已成为推动盈利增长的重要力量，部分业务业绩创下历史新高。 Counterpoint Research研究总监MS Hwang对21世纪经济报道记者分析，当前市场上存储芯片的供应短缺，实际上是行业在2023年至2025年下行周期中投资减少所导致的结果。随着存储厂商目前开始实现盈利，投资也随之增加。 “面向未来的投资需要以当前的盈利能力为基础。过去，供应商和政府可以通过信贷和债务为投资提供资金支持，但如今这种情况已经不复存在。”他补充道。 当然，面对当前显著的供需紧张行情，今年存储芯片巨头们已经纷纷宣布开启扩产。不过短期内，或许还很难看到供需关系出现明显扭转。 MS Hwang对记者分析， 考虑到从投资到产能投产至少需要两年的时间， 这些新增投资预计将从2027年下半年开始逐步转化为实际产能增长。 但在备受关注的消费电子领域，即便这些大厂的新开产能逐渐落地，也未必能吸收这些供给。 “我们预计，未来至少几年内，新增投资仍将主要集中在数据中心领域。 若要使产能分配重新向手机存储倾斜，智能手机行业必须实现复苏。 ”MS Hwang对21世纪经济报道记者指出，然而，目前手机市场尚未找到AI领域新的“杀手级应用场景”，同时还面临存储成本上涨和用户换机周期延长等问题。 从存储芯片巨头此前的表态也能窥见其策略：从追求整体出货规模，转向优先保障高附加值、高利润率的AI存储产品。这种产能结构调整，对传统DRAM市场形成了间接挤压。 由此来看，消费电子存储供应紧张的问题，不仅取决于存储原厂何时扩产，还取决于手机等终端市场能否重新证明自身的增长潜力。 NAND市场出现分化 与DRAM相比，NAND闪存市场的价格走势更加复杂。 根据集邦咨询统计，10月，通用型MLC NAND产品128Gb（16Gx8）的平均价格为30.61美元，环比持平。与此同时，SLC NAND价格仍保持上涨，10月部分产品价格环比涨幅达到5%至10%，其中4Gb及以上容量产品涨幅约为9.0%至9.9%。 不同产品之间的价格差异，反映出NAND内部需求结构正在发生变化。 一方面，汽车电子、工业控制、低轨卫星等应用对部分SLC产品形成支撑，加上成熟产品供应资源相对有限，相关产品价格仍具备上涨动力。 另一方面，消费级SSD及部分TLC、QLC闪存资源的渠道市场价格则出现松动。 第三方机构闪存市场的调研显示，11月伊始，存储现货整体需求延续上月低迷市况，实际成交乏力，渠道消费类SSD及嵌入式eMMC价格延续小幅调降，行业SSD和内存条、LPDDR4X/5X价格普遍以持平为主。 该机构指出，总的来说，近期嵌入式市场多以小单成交为主，实际成交价格仍在下探，本周eMMC价格继续下调，LPDDR4X/5X以及UFS产品