EUV光刻机，太缺了，巨头疯抢

据报道，三星电子和SK海力士正在竞相订购极紫外（EUV）光刻设备，双方的投资额均在10万亿至20万亿韩元之间。由于ASML已正式宣布2027-2028年EUV设备供应将出现缺口，因此确保设备交付已成为扩大先进DRAM规模的关键。

据业内人士8日透露，SK海力士和SK海力士计划从明年开始分阶段接收ASML的EUV光刻设备。SK海力士在3月份宣布将采购价值约11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限为2027年12月31日。由于供应短缺，关键设备的交付周期已延长至此前最长的两倍，两家公司正在考虑提前下单。根据实际情况，两家公司还计划追加订单，这增加了资本支出进一步增加的可能性。

三星电子正随着其在平泽的投资项目不断增加订单。去年11月，三星电子宣布了一项为期五年、总额达450万亿韩元的韩国国内投资计划，其中包括平泽园区第五条生产线（P5），并设定了2028年投产的目标。据悉，P5每座晶圆厂的投资额超过60万亿韩元。业内人士预计，P5一期洁净室工程将于明年上半年完工，届时将开始设备搬迁。三星电子已为该生产线订购了光刻设备。

EUV光刻设备使用波长为13.5纳米（nm）的光刻蚀电路，减少了以往需要多次曝光才能完成图案的多重曝光步骤，从而提高了精度和良率。对于10纳米级的第六代（1c）DRAM等先进DRAM，随着电路间距的缩小，采用EUV光刻技术的工艺层数也在增加。市场研究公司TrendForce表示，SK海力士计划在1c DRAM中应用EUV光刻技术超过五层，比上一代产品多两层。

此前，ASML在今年第三季度财报中表示，其目前计划的2027-2028年产能供应将无法满足客户需求。尽管今年EUV光刻机的出货量约为65台，较去年的44台增长近50%，但该公司表示，即使2027年产能增长30%，以及正在考虑的2028年再增长30%，仍然不足以满足需求。关键产品价格上涨的影响将于明年开始显现，预计将在2028年全面显现。今年第三季度，存储器销售额占系统总销售额的46%。

基于EUV光刻机的下一代DRAM生产也已趋于稳定。2020年3月，三星电子出货了业界首批采用EUV光刻技术的DRAM模块，积累了相关技术，并拥有存储器领域最多的EUV光刻机。SK海力士于2021年2月在位于利川的M16晶圆厂安装了其首台EUV光刻机，并于去年9月引进了业界首台高数值孔径（高NA）EUV光刻机量产。9月8日，三星电子宣布扩大与ASML的合作，并表示将在2028年前推出用于DRAM量产的高NA EUV光刻机。

与此同时，后端设备制造商也面临着两到三年的订单积压。据业内人士透露，韩美半导体和安靠半导体已基本完成订单量锁定。他们正在提升人工智能数据中心关键工艺设备的产能，包括热压键合机。一位半导体行业人士表示：“对于人工智能数据中心安装的芯片而言，后端工艺的重要性日益凸显，后端工艺通过多种方式将单个芯片捆绑连接，以实现高容量和高性能，而前端工艺的重要性则更加凸显。”他补充道：“随着这一生态系统的形成，韩美半导体和安靠半导体也与前端企业的蓬勃发展密不可分。”